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iegt本文内容来自于互联网,分享i egt(ieg腾讯)IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景,具有低损耗

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