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离子束刻蚀(聚焦离子束刻蚀)_1
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刻蚀工艺(刻蚀工艺流程)
刻蚀工艺本文内容来自于互联网，分享刻蚀工艺(刻蚀工艺流程)刻蚀工艺Top把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所
离子束刻蚀(聚焦离子束刻蚀)
离子束刻蚀本文内容来自于互联网，分享离子束刻蚀(聚焦离子束刻蚀)离子束刻蚀-简介离子束刻蚀以离子束为刻饰手段达到刻饰目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束刻蚀-介绍离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的