LED功率型封装(led功率型封装应用)
封装 , 功率 , LED

LED功率型封装(led功率型封装应用)

LED功率型封装本文内容来自于互联网,分享LED功率型封装(led功率型封装应用)LED芯片及封装向大功率方向发展,在大电流下产生比Φ5mmLED大10-20倍的光通量,必须采用有效的散热与不劣化的封装材料解决光衰问题,因此,管壳及封装也是其关键技术,能承受数W功率的LED封装已出现。5W系列白、绿、蓝绿、蓝的功率型LED从2003年初开始供货,白光LED光输出达1871m,光效4

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有效全向辐射功率(EIRP)(有效全向辐射功率计算)
辐射 , 功率 , 有效

有效全向辐射功率(EIRP)(有效全向辐射功率计算)

有效全向辐射功率(EIRP)本文内容来自于互联网,分享有效全向辐射功率(EIRP)(有效全向辐射功率计算)卫星通信中的一种重要参数。有效全向辐射功率EIRP为卫星转发器在指定方向上的辐射功率。它为天线增益与功放输出功率之对数和,单位为dBW。EIRP的计算公式为EIRP=P–Loss+式中的P为放大器的输出功率,Loss为功放输出端与天线馈源之间的馈线损耗,为卫星天线的发送增益。通过对比同一

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功率谱(功率谱密度)
功率 , 密度

功率谱(功率谱密度)

功率谱本文内容来自于互联网,分享功率谱(功率谱密度)周期运动在功率谱中对应尖锋,混沌的特征是谱中出现"噪声背景"和宽锋。它是研究系统从分岔走向混沌的重要方法。在很多实际问题中(尤其是对非线性电路的研究)常常只给出观测到的离散的时间序列X1,X2,X3,...X

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功率场效应晶体管(功率场效应晶体管简称)
晶体管 , 功率 , 效应

功率场效应晶体管(功率场效应晶体管简称)

功率场效应晶体管本文内容来自于互联网,分享功率场效应晶体管(功率场效应晶体管简称)利用半导体的场效应制作的功率晶体管。半导体的场效应指通过垂直于半导体表面的外加电场,可以控制或改变靠近表面附近薄层内半导体的导电特性。功率场效应晶体管元件符号如图1所示。功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管,除此之外还有

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功率计(功率计算公式)
功率计 , 公式 , 功率

功率计(功率计算公式)

功率计本文内容来自于互联网,分享功率计(功率计算公式)功率计Top功率是表征电信号特性的一个重要参数。在直流和低频范围,可以方便的测量负载上的电压有效值V、流过负载的电流有效值I及电压与电流之间的相位角,用下式计算功率值:P=VIcos在超高频和微波频段,有T

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功率静电感应晶体管(功率静电感应晶体管的作用)
静电感应 , 晶体管 , 功率

功率静电感应晶体管(功率静电感应晶体管的作用)

功率静电感应晶体管本文内容来自于互联网,分享功率静电感应晶体管(功率静电感应晶体管的作用)一种短沟道的功率场效应晶体管。简称SIT。为区别起见,一般不把它归入功率场效应晶体管类。SIT通常采用n沟道的结型场效应结构。SIT有平面型、埋沟型等几种。该器件源极的n型半导体被栅极的p型半导体所围,漏极电流IDS必须通过这一窄小的沟道。在栅极与源极间加大负电压VGS时,会使上述沟道变窄以至消失

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功率晶体管(功率晶体管gtr从高电压小电流向低电压大电流)
晶体管 , 电压 , 功率

功率晶体管(功率晶体管gtr从高电压小电流向低电压大电流)

功率晶体管本文内容来自于互联网,分享功率晶体管(功率晶体管gtr从高电压小电流向低电压大电流)耗散功率在1瓦以上的晶体管。在电力电子器件中为一大类,包括双极型功率晶体管、功率场效应晶体管、功率静电感应晶体管、隔离栅晶体管、复合晶体管等。通常,功率晶体管是双极型功率晶

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视在功率(视在功率单位)
功率 , 单位

视在功率(视在功率单位)

视在功率本文内容来自于互联网,分享视在功率(视在功率单位)在电工技术中,将单口网络端钮电压和电流有效值的乘积,即或称为视在功率(apparentpower),记为,即(1)显然,只有单口网络完全由电阻混联而成时,视在功率才等于平均功率,否则,视在功率总是大于平均功率(即有功功率),也就是说,

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双极型功率晶体管(双极型功率晶体管和mosfet的复合器件)
晶体管 , 功率 , 器件

双极型功率晶体管(双极型功率晶体管和mosfet的复合器件)

双极型功率晶体管本文内容来自于互联网,分享双极型功率晶体管(双极型功率晶体管和mosfet的复合器件)最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管,简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元功率晶体管的符号,其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型,器件被分成NPN型和PNP型两种,硅功率晶体管多为前者。进

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