HEMT本文内容来自于互联网,分享HEMT(hemt器件)高电子迁移率晶体管HEMThigh-electronmobilitytransistor一种异质结场效应晶体管,为MESFE的变型。此术语由富士通(Fujitsu)公司提出。高速电子迁移率晶体管,就是利用半导体异质结构中杂质与电子在空间能被分隔的优点,因此电子得以有很高的迁移率

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PowerPC476本文内容来自于互联网,分享PowerPC476LSI公司(NYSE:LSI)日前宣布推出具有多核功能的PowerPC 476微处理器内核和高速嵌入式DRAM内存模块,进一步丰富了其业界领先的定制芯片IP产品系列。该新型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID存储器、服务器以及基站等高性能应用中的高级网络和存储SoC的