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集成电路设计流程(数字集成电路设计流程)
集成电路设计流程本文内容来自于互联网，分享集成电路设计流程(数字集成电路设计流程)集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。芯片硬件设计包括：1．功能设计阶段。设计人员产品的应用场合，设定一些诸如功能、操作速度、接口规格、环境温度及消耗功率等规格，以做
流控元件(流控元件和压控元件)
流控元件本文内容来自于互联网，分享流控元件(流控元件和压控元件)流控元件-名称Top流控元件Topfluidicelement流控元件-简介以射流作为工作介质并按流体的流动机理构成的自动化元件。又称射流元件。流控元件按工作介质分为气动和液压
BGA(ball grid array) 球形触点陈列(球形触摸互动)
BGA(ballgridarray)球形触点陈列本文内容来自于互联网，分享BGA(ballgridarray)球形触点陈列(球形触摸互动)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列
双栈转换机制（DSTM）(双栈模式)
双栈转换机制（DSTM）本文内容来自于互联网，分享双栈转换机制（DSTM）(双栈模式)DSTM的目标是实现新的IPv6网络与现有的I Pv4网络之间的互通。使用DSTM，IPv6网络中的双栈结点与一个IPv4网络中的IPv4主
电涡流式传感器(电涡流式传感器的工作原理)
电涡流式传感器本文内容来自于互联网，分享电涡流式传感器(电涡流式传感器的工作原理)电涡流式传感器Top电涡流式传感器eddycurrenttypetransducer利用电涡流效应将位移等非电被测参量转换为线圈的电感或阻抗变化的变磁阻式传感器。电涡流效应是指金属导体置于交变磁场中会产生电涡流，且该电涡流所产生磁场的方向与原磁场方向相反的一种物理现象。电涡流传感器的敏感元件是线
SATAII接口(sataiii接口)
SATAII接口本文内容来自于互联网，分享SATAII接口(sataiii接口)SATAII是在SATA的基础上发展起来的，其主要特征是外部传输率从SATA的1.5Gbps(150MB/sec)进一步提高到了3Gbps(300MB/sec)，此外还包括NCQ(NativeCommandQueuing，原生命令队列)、端口多路器(PortMultiplier)、交错启动(Stagger
DMOS(dmos全称)
DMOS本文内容来自于互联网，分享DMOS(dmos全称)双重扩散金属氧化半导体DMOSDouble-DiffusedMetal-OxideSemic onductorDMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（verticaldouble-diffusedMOSFET）和横向双扩散金属氧化物
